반도체 Photo 공정 CD 예측 분석 보고서

Resist Line CD 예측 · 공정변수 영향도 · Positive/Negative PR 물리해석 · 머신러닝 모델링
train 805×24 · holdout 200×17 최적모델 GradientBoosting Test R² 0.639 · RMSE 1.64nm 2026-08-14

목차

0개요 & 데이터 요약

반도체 photo(리소그래피) 공정 데이터로 레지스트 라인 CD(resist_line_cd_nm)를 예측한다. train은 공정조건+특성(타깃 7종) 805행×24열, holdout은 특성(CD)이 없는 200행×17열이다. 목표는 (1) 어떤 공정변수가 CD를 좌우하는지, (2) POS/NEG PR의 물리적 차이, (3) CD를 회귀/머신러닝으로 예측 가능한지 검증하고 holdout CD를 추정하는 것이다.

1EDA — 데이터 5행 & 열별 특성

train.csv 상위 5행(주요 열 발췌):

sample_idpr_toneexposure_dose_mj_cm2peb_temp_cdevelop_time_scoat_thickness_nmresist_line_cd_nmspec_pass
S00489POSITIVE102.691109.44435.22392.87948.953FAIL
S00624POSITIVE97.425107.72648.908nan50.6FAIL
S00623POSITIVE102.876111.8356.555101.53948.38PASS
S00088NEGATIVE80.646105.91754.705103.70152.786PASS
S00213POSITIVE100.912114.4742.34695.17251.353PASS

열별 역할

구분의미비고
ID/그룹sample_id, lot_id, tool_id, sequence식별·로트(40)·장비(3)·처리순서모델 제외/그룹효과
범주pr_tonePR 극성 POSITIVE/NEGATIVE핵심 변수
중복retained_pattern_source잔존영역(EXPOSED/UNEXPOSED)pr_tone와 완전중복→제거
상수/오타nominal_cd_nm목표 CD=50분산0 + 500 오타→제거
공선성exposure_dose ↔ normalized_dose노광량 / tone보정 노광량중복정보→normalized 제거
입력focus, coat_thickness, softbake, peb, develop_time, developer_conc, field_x/y초점·두께·베이크·PEB·현상 조건·위치모델 피처
타깃resist_line_cd_nm 외 6종CD·CDU·LER·결함확률·합격주 회귀타깃=CD

pr_tone↔retained_pattern_source 교차표에서 NEGATIVE=EXPOSED, POSITIVE=UNEXPOSED로 1:1 매핑됨을 확인 → 정보중복. nominal_cd_nm은 793개가 50, 1개가 500(물리 오타), 11개 결측 → 사실상 상수라 제거.

2결측 · 이상치 처리 (판단 근거)

결측치 — 평균 대체 vs 삭제 vs 조건부 median

전 열 결측률 2% 미만으로 낮아 행 삭제는 정보손실이다. 그렇다고 단순 평균은 이상치에 민감하므로, tone·tool 조건부 중앙값(median)으로 대체했다. 범주형 pr_tone은 retained_pattern_source 매핑(EXPOSED→NEGATIVE 등)으로 먼저 복원 후 잔여는 최빈값.

→ 평균이 아니라 조건부 median을 택한 이유: 노광량·PEB 등은 tone/tool마다 대표값이 달라 전체 평균으로 채우면 그룹 특성이 뭉개진다. median은 이상치에 강건(robust)하다.

이상치 — 물리적 불가값만 교정

IQR + |z|>3 병행 탐지 후, 물리적으로 불가능한 값만 NaN 처리하여 위 median으로 재대체했다. (예: exposure_dose 565, peb_temp 386, softbake 10, coat 9 등 — 공정상 존재 불가). 통계적으로만 큰 값은 tree 모델이 강건하므로 보존했다.

물리불가→교정 개수
exposure_dose_mj_cm21
coat_thickness_nm1
softbake_temp_c1
peb_temp_c4
develop_time_s3
developer_concentration_pct1

정제 결과: train 805×21, holdout 200×14, 잔여결측 0. (holdout은 train에서 계산한 median을 적용해 데이터 누수 방지)

3CD 영향도 & 공선성

영향도를 4방법 교차검증(Pearson/Spearman 상관, 표준화 선형계수, RandomForest & Permutation importance, Mutual Information)으로 평가했다. 한 방법에 치우치지 않도록 각 방법의 순위를 평균해 종합했다.

그림 3-1. resist_line_cd_nm 영향도 — 4방법 교차(각 방법 최대=1 정규화)
변수종합순위(↓중요)Pearson rRF importanceMutualInfo
exposure_dose_mj_cm21.33-0.1020.6000.473
coat_thickness_nm2.50+0.1300.0610.028
develop_time_s2.67-0.1200.0900.022
focus_um5.83-0.0290.0410.000
field_y6.33-0.0250.0530.000
field_x7.00+0.0210.0500.000
developer_concentration_pct7.00-0.0220.0340.017
tone_pos7.17-0.0070.0050.027
softbake_temp_c7.33+0.0300.0330.007
peb_temp_c7.83+0.0130.0340.004

핵심 발견: exposure_dose_mj_cm2가 RF 중요도 0.60로 압도적이나, 선형상관은 -0.10로 약하다. 이는 노광량↔CD 관계가 tone에 따라 반대 방향이라 전체 선형상관은 상쇄되지만, 트리 모델은 tone×dose 상호작용(비선형)을 잡아내기 때문이다(4장 참조). 그 다음으로 coat_thickness(swing), develop_time(용해량)이 기여한다.

그림 3-2. 상관 heatmap
그림 3-3. VIF 공선성

공선성 진단 (VIF)

정보중복 열(retained_pattern_source, normalized_dose_pct, nominal_cd_nm)을 사전 제거하자 남은 변수의 VIF는 모두 2 미만으로 공선성이 해소되었다(|r|>0.8 쌍 0개).

변수VIF판정
exposure_dose_mj_cm21.64양호
peb_temp_c1.54양호
develop_time_s1.22양호
focus_um1.01양호
field_x1.01양호
coat_thickness_nm1.01양호
field_y1.01양호
softbake_temp_c1.01양호
developer_concentration_pct1.01양호
그림 3-4. 상위 영향 변수 회귀선

4Positive vs Negative PR 특성 & 물리해석

POSITIVE 528개, NEGATIVE 277개. tone별 groupby 후 t-test·Mann–Whitney로 유의차를 검정했다.

변수POSITIVE 평균NEGATIVE 평균차이(P−N)유의차(p<0.05)
exposure_dose_mj_cm2100.02378.576+21.447
peb_temp_c109.880105.080+4.801
develop_time_s48.04454.278-6.235
scum_probability0.2200.085+0.134
ler_nm1.5981.749-0.151
pattern_collapse_probability0.0280.033-0.005
그림 4-1. 노광량-CD tone별 반대 기울기(상호작용)
그림 4-2. tone별 노광량·CD 분포
그림 4-3. 주요 변수 tone별 KDE

물리해석 (포토 공정 지식)

POSITIVE PR: 노광된 영역이 현상액에 용해·제거되고 비노광부가 남는다(UNEXPOSED 잔존). 데이터상 raw 노광량이 평균 100.0 mJ/cm²로 높게 운용된다. 노광량↑ → 산(acid) 생성↑ → 보호기 탈보호(deprotection)↑ → 용해영역 확대 → 라인 CD 감소 경향. 해상도에 유리하나 scum(현상잔사) 확률이 NEG보다 높게 나타났다(0.220 vs 0.085).

NEGATIVE PR: 노광부가 가교(cross-link)되어 잔존하고 비노광부가 제거된다(EXPOSED 잔존). raw 노광량이 평균 78.6 mJ/cm²로 낮게 운용된다(가교 개시에 필요한 dose가 상대적으로 낮음). 현상시간이 더 길고(용해대비 확보), LER이 더 큰 경향(1.598 vs 1.749 nm)은 팽윤(swelling)·가교 불균일과 관련된다.

→ 두 tone 모두 목표 CD 50nm를 맞추도록 dose·PEB를 서로 다른 대역에서 운용한다. 그래서 CD 자체 평균은 유사(POS 50.4 / NEG 50.4 nm)하지만, 같은 dose를 넣어도 tone에 따라 CD가 반대로 움직인다 — 이것이 3장에서 본 "선형상관 약함 + 트리 중요도 높음"의 물리적 원인이다. CAR 산확산(acid diffusion) 관점에서 PEB 온도는 산 확산길이 $\sigma=\sqrt{2Dt}$를 통해 CD·LER을 동시에 좌우한다.

4·5필드내 위치(field_x/y)별 CD 맵 & 공간 상관성

필드 좌표 field_x, field_y(−1~1)로 CD의 공간 분포를 tone·장비별 facet으로 시각화하고, 중심거리 radius=$\sqrt{x^2+y^2}$ 기준 반경방향(edge effect) 경향을 검정했다.

그림 4-4. tone별 위치 CD 맵 (색=CD) — 뚜렷한 공간 패턴 없음
그림 4-5. x-y 격자 평균 CD
그림 4-6. 반경방향 CD 경향
구분r(field_x)r(field_y)r(radius)
전체+0.021-0.025+0.043
POSITIVE+0.012-0.040+0.036
NEGATIVE+0.039-0.001+0.057

결론: 모든 위치-CD 상관이 |r|<0.06으로 미미하고, CD ~ x+y+radius 선형 R²=0.0029 (≈0.3%)에 불과하다. 즉 필드내 CD는 공간적으로 균일하며 계통적 center/edge 편차가 없다. 공정 균일도(uniformity)가 양호하다는 의미이고, 위치변수를 모델에서 제외해도 성능 손실이 없다(3장 importance와 일치).

5·6회귀/ML 모델 비교 (7:3 랜덤분할)

데이터를 7:3 랜덤분할(random_state=42, 학습 70% / 검증 30%)하고, 전처리(표준화+원핫)를 파이프라인 안에서 학습셋만으로 fit하여 데이터 누수를 막았다. 5-fold 교차검증을 보조로 병행했다.

모델Test R²RMSE(nm)MAE(nm)MAPE%Train R²과적합 gapCV R²
LinearRegression0.2952.2991.6313.190.172-0.1230.174
Ridge0.2932.3021.6343.200.172-0.1210.174
Lasso0.2922.3041.6383.210.171-0.1200.175
RandomForest0.6011.7301.1662.280.944+0.3440.629
GradientBoosting0.6391.6441.0542.050.916+0.2760.639

지표의 의미

그림 5-1. 모델별 Test R²/RMSE
그림 5-2. GradientBoosting 예측 vs 실제
그림 5-3. 잔차·Q-Q (선형 vs GradientBoosting)

회귀 가능? ML 필요?

선형계열(Linear/Ridge/Lasso)은 Test R²≈0.30로 낮다. 반면 트리 기반은 GradientBoosting가 Test R²=0.639, RMSE=1.64nm, MAPE=2.05%로 크게 앞선다. 잔차플롯에서 선형모델은 구조적 패턴(비선형 잔차)이 남지만 GradientBoosting는 상대적으로 무작위에 가깝다. 결론: 단순 선형회귀로는 부족하고, tone×공정조건 상호작용을 포착하는 머신러닝(GBM)이 적합하다. MAPE 약 2%는 CD 예측에서 실용 가능한 수준이다.

7Holdout CD 예측

최적 모델 GradientBoosting전체 train으로 재학습한 뒤 holdout 200개 샘플의 CD를 예측했다. 예측 CD 평균 50.05 nm(범위 44.7~56.5), train 실측 범위(25.8~66.3) 안에 100% 포함되어 외삽(extrapolation) 위험이 없다(범위 밖 0개).

그림 7-1. 예측 vs train 실측 분포
그림 7-2. tone별 예측 CD

예측 결과 상위 12행(전체는 outputs/holdout_predictions.csv):

sample_idtoolpr_tone예측 CD(nm)
S00800T02POSITIVE48.119
S00801T02NEGATIVE52.687
S00802T01POSITIVE48.633
S00803T02POSITIVE47.723
S00804T01POSITIVE49.511
S00805T02POSITIVE50.170
S00806T01POSITIVE50.082
S00807T03NEGATIVE55.856
S00808T02NEGATIVE50.666
S00809T01NEGATIVE51.499
S00810T01POSITIVE47.285
S00811T02POSITIVE52.701

8물리 수식 & 공정 모식도

리소그래피 기본 수식

해상도와 초점심도는 Rayleigh 식으로 결정된다:

$$ R = k_1\frac{\lambda}{NA}, \qquad DOF = k_2\frac{\lambda}{NA^2} $$

$\lambda$=노광 파장, $NA$=개구수, $k_1,k_2$=공정계수. NA↑ 또는 $\lambda$↓로 R↓(미세화)하지만 DOF는 급감한다.

화학증폭형(CAR) 산 확산과 CD

PEB 동안 광산발생제(PAG)가 만든 산 $H^+$가 확산하며 보호기를 탈보호한다. 확산길이는

$$ \sigma_{diff}=\sqrt{2D\,t_{PEB}},\qquad D=D_0\exp\!\left(-\frac{E_a}{k_B T_{PEB}}\right) $$

PEB 온도 $T_{PEB}$↑ → 확산계수 $D$ 지수적 증가 → 확산길이↑ → 프로파일 blur·CD 변화·LER 저감(적정선까지). 데이터에서 POS의 PEB가 NEG보다 높게 운용된 것과 정합적이다.

Dose–CD 응답 (감마)

$$ \frac{\partial CD}{\partial(\log E)} \;\propto\; \gamma \quad\text{(대비 contrast)},\qquad CD \approx CD_0 - S_{tone}\,(E-E_0) $$

기울기 $S_{tone}$의 부호가 tone에 따라 반대(POS: dose↑→CD↓, NEG: 가교로 경향 상이)라 전체 선형상관이 상쇄된다 → 3장 관찰의 수식적 근거.

Positive vs Negative PR 단면 모식도

POSITIVE PR (노광부 용해→제거) 마스크(빛 통과=투명부) 노광영역 현상 후: 노광부가 제거됨(라인=비노광부) NEGATIVE PR (노광부 가교→잔존) 노광영역(가교) 현상 후: 노광부가 잔존(라인=노광부)
그림 8-1. POS/NEG PR 노광·현상 단면 — 같은 마스크라도 잔존영역(=라인)이 반대

9참고문헌

[1] Photoacid diffusion in chemically amplified photoresists and its detection methods: A review, Microelectronic Engineering / ScienceDirect (2025). link

[2] Effects of acid diffusion and resist molecular size on line edge roughness for CAR in EUV lithography: computational study, Jpn. J. Appl. Phys. (IOP, 2021). link

[3] Understanding Acid Reaction and Diffusion in Chemically Amplified Photoresists: An Approach at the Molecular Level, J. Phys. Chem. C (ACS, 2011). link

[4] Lithographic importance of base diffusion in chemically amplified photoresists, Microelectronic Engineering (Elsevier). link

[5] Post Exposure Bake (PEB) — Application Note, MicroChemicals GmbH. link

[6] Line-Edge Roughness from EUV Lithography to FinFET: Computational Study, PMC (2021). link

[7] C. A. Mack, Fundamental Principles of Optical Lithography, Wiley (2007) — Rayleigh 해상도·CAR 모델 기본서.

부록재현 방법

전체 파이프라인은 scripts/의 step01~step07을 순서대로 실행하면 재현된다. 자세한 절차는 readme.md, 재사용 가능한 스킬 정의는 skill.md 참조.

python3 scripts/step01_eda.py
python3 scripts/step02_clean.py
python3 scripts/step03_influence.py
python3 scripts/step04_pr_compare.py
python3 scripts/step05_model.py
python3 scripts/step06_holdout.py
python3 scripts/step07_report.py   # index.html 생성